Mi a 3D V-NAND és miben különbözik a meglévő technológiáktól ?
A Samsung flash memória az innovatív 3D-s V-NAND technológián alapul, amely 32 cella réteget halmoz egymás tetejére, a cellák hosszának és szélességének csökkentése helyett annak érdekében, hogy illeszkedjen a mai egyre zsugorodó kivitelhez. Az eredmény nagyobb sűrűség és teljesítmény, kevesebb helyhasználat és valódi áttörés a hagyományos síkbeli NAND memóriák sűrűség-határértékének leküzdésében.

Optimalizálja a mindennapi számítógép használatot a TurboWrite technológiával a páratlan olvasási / írási sebesség érdekében.
Érje el a legvégső írási / olvasási teljesítményt és maximalizálja a mindennapos számítógéphasználat élményét a Samsung TurboWrite technológiájával. Amellett, hogy a 840 EVO-nál 10%-kal jobb felhasználói élményben lesz része, a 120/250 GB-os modellek esetében 1,9-szer gyorsabb közvetlen írási sebességre is szert tehet. A 850 EVO kategóriájának legjobb teljesítményét nyújtja, szekvenciális olvasási (540 MB/s) és írási (520 MB/s) sebességgel. Ráadásul optimalizált közvetlen teljesítményt is kap minden QD-hez az ügyfél számítógéphasználat során.PCmark7 (250 GB ): 6700 (840 EVO) > 7600 (850 EVO) *Véletlenszerű írás (QD32,120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO)

Hajtson a gyorsítósávban a továbbfejlesztett RAPID módokkal
Használja ki az írási / olvasási teljesítmény minden kapacitását a RAPID móddal, amikor szüksége van rá. Csakúgy, mint a sebváltó az autóban, a Magician szoftver is megadja a lehetőséget, hogy növelje a teljesítményt a rendszer szintjén az adatok feldolgozásával a szabad PC memória (DRAM) cache-ként való használatával, amely 1,8-szer gyorsabb teljesítményt nyújt a RAPID módban . PCMark Vantage pontszám (512 GB): 53 K > 97 K (gyors módban)

Megvédi az értékes adatokat a teljesítmény feláldozása nélkül
A 850 EVO technológiájához tartozik az AES-256 bites hardver alapú, teljes merevlemezes titkosítás, amely biztosítja az adatok védelmét a teljesítmény csökkenése nélkül és megfelel a TCG (TM) Opal v2.0 szabványnak, PSID védelemmel rendelkezik és kompatibilis Microsoft (R) eDrive IEEE (R) 1667 protokoll-lal.

Védje meg számítógépét a túlmelegedéstől a Dynamic Thermal Guard védelemmel
A Dynamic Thermal Guard védelem figyeli és fenntartja a meghajtó optimális működési hőmérsékletét a fojtószelep funkcióval, amely automatikusan csökkenti az SSD hőmérsékletét, amikor az adatokat meg kell védeni, és biztosítja a reakciókészséget, amelyet Ön elvár.

Váltson a 850 EVO-ra egyszerűen, problémamentesen
A One-stop Install Navigator szoftver segítségével az összes adatot és alkalmazást az SSD-ről vagy HDD-ről a 850 EVO-ra költöztetheti gyorsan és egyszerűen mindössze három lépésben. Továbbá, maximalizálhatja a teljesítményt a Samsung Magician szoftverrel a kényelmes kezelhetőségért.

Minden egyes alkatrész zökkenőmentesen működik együtt
A Samsung egyike azon kevés gyártóknak, amely tulajdonképpen minden SSD komponenst házon belül tervez, így a finomhangolás a fejlesztés minden szakaszában lehetséges. Az eredmény - nagyobb teljesítmény, alacsonyabb energiafogyasztás az 1 GB LPDDR2 DRAM cache memóriával és jobb energiahatékonyság a 3-core MEX vezérlővel.

Belső/Külső	Belső SSD
Kapacitás	500 GB
Maximális adatátviteli sebesség	6 Gbit/s
NAND flash típusa	TLC
Maximális SSD olvasási sebesség	540 MB/s
Maximális SSD írási sebesség	500 MB/s
Csatlakozók	SATA3
Méretek
Átmérő	M.2